產(chǎn)品分類
- 磁控濺射鍍膜儀
- 熱蒸發(fā)鍍膜儀
- 高溫熔煉爐
- 等離子鍍膜儀
- 可編程勻膠機
- 涂布機
- 等離子清洗機
- 放電等離子燒結(jié)爐
- 靜電紡絲
- 金剛石切割機
- 快速退火爐
- 晶體生長爐
- 真空管式爐
- 旋轉(zhuǎn)管式爐
- PECVD氣相沉積系統(tǒng)
- 熱解噴涂
- 提拉涂膜機
- 二合一鍍膜儀
- 多弧離子鍍膜儀
- 電子束，激光鍍膜儀
- CVD氣相沉積系統(tǒng)
- 立式管式爐
- 1200管式爐
- 高溫真空爐
- 氧化鋯燒結(jié)爐
- 高溫箱式爐
- 箱式氣氛爐
- 高溫高壓爐
- 石墨烯制備
- 區(qū)域提純爐
- 微波燒結(jié)爐
- 粉末壓片機
- 真空手套箱
- 真空熱壓機
- 培育鉆石
- 二硫化鉬制備
- 高性能真空泵
- 質(zhì)量流量計
- 真空法蘭
- 混料機設備
- UV光固機
- 注射泵
- 氣體分析儀
- 電池制備
- 超硬刀具焊接爐
- 環(huán)境模擬試驗設備
- 實驗室產(chǎn)品配件
- 實驗室鍍膜耗材
- 其他產(chǎn)品
新聞詳情
RTP快速退火爐的技術指標
日期：2025-05-10 08:23
瀏覽次數(shù)：950
摘要：
RTP快速退火爐可用于砷化鎵、硅以及其他半導體材料，離子注入后的退火、硅化物的形成、歐姆接觸制備以及快速氧化、快速氮化等方面。RTP快速退火爐，快速熱處理設備（RTP）具有快速升降溫、慢速升降溫、和長工作時間穩(wěn)定等特點。也可用于各種半導體材料的CVD工藝的熱處理。
RTP快速退火爐主要技術指標
l、外形尺寸：550×650×650mm（長×寬×高）
2、爐內(nèi)體尺寸：327×249×123mm（長×寬×高）
3、工作室采用進口GE石英，外徑尺寸：290×230×24mm（長×寬×高）；表面進行磨砂處理
4、不銹鋼反應室上下反射面聚焦設計，內(nèi)表面采用鍍金處理，減小熱損失，極大提高了反射效率
5、水冷卻，確保燈箱散熱與快速降溫
6、風扇冷卻保證加熱燈的冷卻
7、大溫度范圍150℃—1000℃，K型熱電偶
8、升溫速率：0.01—100℃/s可預設定
9、氣體：兩路美國進口浮子流量計控制，流量：0—5L/min
10、采用歐陸2604高精度溫控儀控制溫度
11、可編程多條溫度曲線
l2、雙閉環(huán)控制溫度，穩(wěn)態(tài)溫度穩(wěn)定性±1℃
l3、光源：1200W×21只鹵鎢燈
l4、電源：AC380V；63A三相
l5、有效加熱區(qū)：180×180mm
l6、石英承片架Ф160mm；配6英寸硅片承片板
尊敬的客戶：
您好，我司是一支技術力量雄厚的開發(fā)群體，為廣大用戶提供完整的解決方案和技術服務。主要產(chǎn)品有氧化鋯燒結(jié)爐、石墨烯制備設備、等離子清洗機等。本企業(yè)堅持以誠信立業(yè)、以品質(zhì)守業(yè)、以進取興業(yè)的宗旨，以更堅定的步伐不斷攀登新的高峰，為民族自動化行業(yè)作出貢獻，歡迎新老顧客放心選購自己心儀的產(chǎn)品。我們將竭誠為您服務！
